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　　图2、铅诱导界面弱化的理论与实验验证。（a）PTO/STO（左）与BTO/STO（右）界面的电荷转移DFT模拟（蓝色：电荷流失，红色：电荷富集）。（b）PTO薄膜从STO衬底剥离的三种裂纹模式：应力层脱层（上）、界面剥离（中）、衬底碎裂（下）。（c）剥离后STO衬底表面的原子力显微镜（AFM）图像，均方根粗糙度（RMS）为0.51 nm。（d）剥离PTO薄膜的电子背散射衍射（EBSD）取向分布图（上）与晶向偏差统计（下），峰值接近0°，半高宽0.38°。（e）剥离窗口的理论预测：仅当界面能低于薄膜和衬底表面能时，可实现精准剥离（PTO/STO案例）。（f）BTO/STO因界面能高，仅能通过衬底碎裂或应力层脱层剥离。© 2023 Springer Nature